کلمه عبورتان را فراموش کردهاید؟
درخواست عضویت
افزایش ولتاژشکست ترانزیستور SOI-LDMOSFET بااستفاده از یک اکسیدنیتریدسیلیسیم دربستر (1400) / رضا دانش پژوه، نویسنده نوع مدرک:متون چاپیسرشناسهرضا دانش پژوه، نویسندهردهبندی کنگره :MTK /13 1400عنوان :افزایش ولتاژشکست ترانزیستور SOI-LDMOSFET بااستفاده از یک اکسیدنیتریدسیلیسیم دربسترناشر:تنکابن : دانشگاه آیندگانسال نشر :1400صفحه شمار:74صمواد همراه :CDیادداشتگرایش مدارهای مجتمع الکترونیکشناسه افزوده :انوری فرد کاظم، استاد راهنماتوصیفگرهااکسید دفن شده، ماسفت با نفوذ دوگانه ی افقی،ولتاژشکست، SI3N4لینک ثابت رکورد:../opac/index.php?lvl=record_display&id=6515زبان مدرک :فارسی درخواست رزرو فهرست موجودی مدرک شماره ثبتشماره بازیابینام عام موادمحل نگهداریبخشوضعیت ثبتوضعیت امانتگرایش0103000245MTK /13 1400 پایاننامهکتابخانه موسسه آموزش عالی آیندگانبرق اسناد معمولیموجود نسخههای الکترونیک مرتبط با رکورد Adobe Acrobat P... نظرهای کاربران درباره این مدرک تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید. رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب موضوع شرح نظر شما