دسترسی همگانی(OPAC) نام کتابخانه در اوپک

افزایش ولتاژشکست ترانزیستور SOI-LDMOSFET بااستفاده از یک اکسیدنیتریدسیلیسیم دربستر (1400) / رضا دانش پژوه، نویسنده بازکردن سندdanesh.pdf
نوع مدرک:متون چاپی
سرشناسهرضا دانش پژوه، نویسنده
رده‌بندی کنگره :‭MTK ‭/13 1400
عنوان :افزایش ولتاژشکست ترانزیستور SOI-LDMOSFET بااستفاده از یک اکسیدنیتریدسیلیسیم دربستر
ناشر:تنکابن : دانشگاه آیندگان
سال نشر :1400
صفحه شمار:74ص
مواد همراه :CD
یادداشتگرایش مدارهای مجتمع الکترونیک
شناسه افزوده :انوری فرد کاظم، استاد راهنما
توصیفگرهااکسید دفن شده، ماسفت با نفوذ دوگانه ی افقی،ولتاژشکست، SI3N4
لینک ثابت رکورد:../opac/index.php?lvl=record_display&id=6515
زبان مدرک :فارسی

 درخواست رزرو

شماره ثبتشماره بازیابینام عام موادمحل نگهداریوضعیت ثبتوضعیت امانتگرایش
0103000245‭MTK ‭/13 1400 پایان‌نامهکتابخانه موسسه آموزش عالی آیندگاناسناد معمولیموجود  

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.